180 nanômetros

Fabricação
de dispositivos
semicondutores

10 µm – 1971
6 µm - 1974
3 µm - 1977
1,5 µm - 1982
1 µm - 1985
800 nm - 1989
600 nm - 1994
350 nm - 1995
250 nm - 1997
180 nm - 1999
130 nm - 2001
90 nm - 2004
65 nm - 2006
45 nm - 2008
32 nm - 2010
22 nm - 2012
14 nm - 2014
10 nm - 2016
7 nm - 2018
5 nm - 2020

O processo de 180 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1998 a 2000^[1] pelas principais empresas de semicondutores, começando com TSMC^[2] e Fujitsu.^[3]

Referências

↑ Schneider, Márcio Cherem; Galup-Montoro, Carlos (28 de janeiro de 2010). CMOS Analog Design Using All-Region MOSFET Modeling (em inglês). : Cambridge University Press
↑ «0.18-micron Technology - Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited». www.tsmc.com (em inglês). Consultado em 16 de dezembro de 2021
↑ «65nm CMOS Process Technology» (PDF)

Precedido por:
250 nm

processos de fabricação CMOS

Sucedido por:
130 nm

[1] Schneider, Márcio Cherem; Galup-Montoro, Carlos (28 de janeiro de 2010). CMOS Analog Design Using All-Region MOSFET Modeling (em inglês). : Cambridge University Press

[2] «0.18-micron Technology - Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited». www.tsmc.com (em inglês). Consultado em 16 de dezembro de 2021

[3] «65nm CMOS Process Technology» (PDF)

[1]

[2]

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